知之小工具造句栏目为您提供2024年的器件的造句相关内容，本栏目原创编辑和精选收集了193条器件的造句一二年级例句供您参考，同时也为您推荐了器件的解释、近反义词和组词。
- 151、通常，在计划要做一些可能会修改电子器件的修改时，首先要进行备份。
- 152、半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域，如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。
- 153、为解决光纤光栅等非均匀**件的特性分析和优化设计，本文提出了一种基于互联网络子结构理论的光纤光栅特性分析方法。
- 154、简要阐述了半导体器件模拟软件在新器件开发中的应用，对性能模拟扩展与工艺模拟集成的优势作了简述。
- 155、作为光网络的关键器件，光功率分配器的研究因此具有重要的意义。
- 156、本文尝试用四端网络法研究非互易微波铁氧体器件。
- 157、知之小工具在线造句词典祝您造句快乐,天天进步!
- 158、文中介绍了CCD器件的有关原理和基本结构，和据此设计的多值逻辑电路，讨论了其性质及几种应用。
- 159、随着半导体技术的发展，在脉冲功率应用中，使用固态开关取代电真空开关器件已成为可能。
- 160、本文采用EEPROM串行存储器件设计软件狗来实现软件加密。
- 161、豪特电子是一家专业销售世界各品牌电子元器件。
- 162、余姚汇佳通信设备有限公司坐落于享有“塑料王国”、“模具之乡”盛名之称的浙江省余姚市，是一家以生产、销售光纤通信器件产品为主，拥有自主进出口权的民营企业。
- 163、从微波性能方面来看，热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。
- 164、文章介绍一种用CCD321型电荷藕合器件设计的梳状滤波器，目的在于探讨使用这种器件做视频信号处理的可行性。
- 165、研究的结果表明，双口网络集合的级联构成乘法群，双口网络集合的串、并联构成加法群，双口理想变换器和器件的集合之间存在子群与陪集的关系。
- 166、在自由电荷传输模型的基础上得到了电荷耦合器件电荷传输效率的表达式，编制了电荷耦合器件电荷传输效率优化设计软件。
- 167、由于磁流变液快速可调的磁流变效应，使其广泛地应用于减振器、离合器、液压阀和抛光器等器件。
- 168、通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。
- 169、在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。
- 170、新型无触点补偿式电力稳压器均采用双向晶闸管作为开关器件。
- 171、形成警务处处长可编程逻辑器件，将有助公司建兴科技，惠普和飞利浦，以加强他们的立场在市场上。
- 172、云母片加热器是将电阻丝缠绕在云母片上的一种电加热器件。
- 173、数值分析的结果表明，硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力。
- 174、对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。
- 175、它根据分光测色的原理，使用型凹面光栅作为其分光器件，石英光纤做测色探头，线阵CCD为探测器。
- 176、第二章详细阐述了半导体热电器件的有关工作原理。
- 177、在所研制的新型无触点电力稳压器中，采用晶闸管作为开关器件。
- 178、电感线圈，线圈，电子元器件。
- 179、然后，根据移位寄存器的功能特性，以五值D触发器为核心器件，设计了五值双向移位寄存器。
- 180、计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。
- 181、本文介绍了一种以常用电子元器件构成的高精度数控直流稳压电源.
- 182、文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。
- 183、本文讨论了电子线路中浪涌产生的原因及危害，介绍了浪涌保护常用的几种保护器件，并给出了基本的浪涌保护电路原理图。
- 184、基于GTO器件特性和故障状态下GTO的过流工况，研究了GTO过流分级快速保护模式和实现方法以及保护的极限条件。
- 185、然而，普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。
- 186、枪是一种先进的真空溅射镀膜器件，可用于进行多种真空镀膜工艺。
- 187、所有器件都装在一个坚固的、箱底带有脚轮的不锈钢箱体内.
- 188、实验表明，共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性，从而控制功率增益。
- 189、利用液晶分子取向的电场可控性及光学各向异性的特点，设计了一种新型的菲涅耳位相波带片，这种器件具有制作简单、造价低廉、抗划损的优点。
- 190、包含稀土元素的合金，其生产方法，磁致伸缩器件，以及磁性冷冻剂材料。
- 191、这种以有序介孔二氧化硅为模板制备的聚苯胺的单分子导线，有潜力应用在新型的电子或光电子器件上。
- 192、微电子技术的不断发展，对光刻设备精度的要求越来越高，特别是在一些特殊器件的制作领域，要求基片多次曝光后必须达到较高的套刻精度。
- 193、这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应，能大幅度减小器件尺寸。
